الترانزستور

لترانزستور من القطع الالكترونيه التي يستخدم في اغلب الدارات الالكترونيه مهما كان عمل هذة الدارة وهو صغير الحجم وله استعمالات واستخدامات يقوم بها في الدارة تفوق حجمه وهو عبارة عن قطعة صغيرة ذو لون اسود يحتوي علي ثلاثة اقطاب وتسمي هذة الاقطاب – الباعث – القاعدة – المجمع – 0
يتكون الترانزستور من بلورة نصف ناقله فيها ثلاث مناطق الطرفان يكون من نمط واحد – ن – أو ب – ويسمي احد الاطراف الباعث –ع- ويحتوي علي اكبر نسبة من الشوائب بينما يسمي الطرف الاخر المجمع – ج – ويحتوي علي نسبة من الشوائب اقل مما في الباعث 0
وتتصل المنطقة الوسطي بالطرفين السابقين علي الجوانب بألتحامين ويكون من نمط مغاير ويسمي القاعدة – د – والقاعدة عبارة عن شريحة رقيقة لايتجاوز سمكها عشرة ميكرونات ونسبة الشوائب به تكون اقل من النسب في الباعث والمجمع ولهذا الترانزستور نوعان ولهما نفس الوظيفه وهما النوع الاول ب-ن-ب (PNP) والنوع الثاني هو ن-ب-ن- (NPN
للترانزستور ثلاثة استخدامات هي :
1- كمكبر amplifier في دوائر تكبير الاشارة بأستخدام الخواص الخطية للترانزستور .
2- كمفتاح switch في الدوائر المنطقية logic circuits
3- كمقاومة متغيرة ballast في دوائر تنظيم الفولتية stabilizer
اما طرق ربطه في الدائرة فهي ثلاث ايضا :
1- طريقة الباعث المشترك ce
2- طريقة الجامع المشترك cc
3- طريقة القاعدة المشتركة cb


وهناك نوع اخر من الترانسترات اسمه ترانسستر تاثير المجال او ما يسمى بـ (FET ) وصنفه الاخر الـ ( MOSFET ) وقد بدا يزيح بالتدريج الترانزستر الاعتيادي من كثير من تطبيقاته وخاصة الرقمية منها لما يوفره من ميزات مثل مقاومة المدخل العالية جدا وقلة استهلاكه للطاقة وصغر الحيز الذي يشغله مما يجعله مثاليا في صناعة الدوائر المتكاملة وفي هذا النوع من الترانزسترات هناك وصلة واحدة وليست وصلتان للاتصال مثل الترازستر العادي وشكرا

وايضا هنالك نوع من الترانزستور يسمى ترانزستور احادي الوصلة unijunction transistor ) له ثلاثة اقطاب ايضا وهي : الباعث e ، القاعدة الاولى b1 ، والقاعدة الثانية b2
فهو يختلف عن الدايود العادي في ان له ثلاثة اطراف توصيل ويختلف عن ترانزستور تأثير المجال FET في ان ليس له قابلية التكبير ، الاان له قدرة على السيطرة على تيار كبير بأشارة صغيرة ولذلك فهو يستخدم بصورة رئيسية كمذبذب لتوليد اشارة مثلثة وكذلك لتوليد اشارة القدح للثايرستور SCR

ويعاب على الترانزستور حساسيته العالية لدرجات الحرارة حيث يتأثر بأرتفاعها .
ويعتمد تحمل الترانزستور لدرجات الحرارة على المادة المصنوع منها وأن الترانزستورات المصنوعة من مادة السليكون تتحمل حرارة اكثر من تلك المصنوعة من مادة الجرمانيوم وهذا أحد أسباب تفضيلها على ترانزستورات الجرمانيوم .